Chernysh V.V., Nhanala J.F., Tomo F.F.

Universidade Eduardo Mondlane, Faculdade de Ciências, Departamento de Física, Secção de Física Teórica

Investigação dos fenómenos galvanomagnéticos a par da sua aplicação prática importante na indústria sempre foi instrumento efetivo para estudo do papel dos diferentes mecanismos do espalhamento dos portadores de carga, determinação e estudo das peculiaridades dos parâmetros importantes da estrutura energética dos semicondutores.

Necessidade de usar alguns dispositivos semicondutores nas condições extremais externas exige o estudo das propriedades dos eletrões nos vales energéticos relativamente afastados na escala energética em relação aos mínimos absolutos da banda de condução.

Resultados da investigação teórica do efeito de Hall em L₁ – Delta₁ modelo do Ge sob pressão uniaxial ao longo da direção cristalográfica [001] e campos magnéticos arbitrários estão apresentados nesta comunicação. Espalhamento dos eletrões dentro dos vales energéticos por fonões acústicos e iões de impurezas e espalhamento não equivalente entre L₁ e Delta₁ vales e f- e g- espalhamento equivalente dos eletrões entre Delta₁ vales estão incluídos na consideração. Quando pressão aplicada é menor de que a pressão da inversão dos L₁ e Delta₁ vales, praticamente todos os eletrões estão localizados em quatro L₁ vales. Sob pressão maior de que a pressão da inversão maioria dos eletrões estão transferidos para dois Delta₁ vales orientados ao longo do eixo da tensão [001] e, pois, condição para determinação mais precisa de algumas características dos eletrões em Delta₁ vales está criada. Neste caso junto com espalhamento dentro de vales fica só g-espalhamento entre dois Delta₁ vales. Aproximação do campo magnético fraco e do forte tinha sido considerado. No caso particular da pressão fraca as expressões matemáticas coincidem com as conhecidas anteriormente. Resultados teóricos obtidos com teoria do espalhamento anisotrópico estão em coincidência boa com dados experimentais obtidos por outros autores.

Palavras – chave: efeito de Hall, pressão uniaxial, espalhamento, L₁ – Delta₁ modelo.